Транзистор HEPS9100 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HEPS9100. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Коэффициент усиления (hFE)
20000T
Производитель
CDIL
Применение
Darlington, Medium Power
Искать HEPS9100 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее