Транзистор HSE316 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HSE316. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
CDIL
Искать HSE316 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее