Транзистор HSE410 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HSE410. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
310mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Коэффициент усиления (hFE)
80MIN
Производитель
CDIL
Искать HSE410 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее