Транзистор HSE830 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора HSE830. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 118W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 50MIN
Производитель: CDIL

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.