Транзистор HVT200 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HVT200. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
6MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
ZETEX
Применение
Low Power, General Purpose
Искать HVT200 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее