Транзистор HVT600 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора HVT600. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
600V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
6MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
ZETEX
Применение
Low Power, General Purpose
Искать HVT600 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее