Транзистор IMB3A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора IMB3A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 140MHz
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: ROHM
Применение: Dual, Digital, Internal Rezistors

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.