Транзистор IMBT4400 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора IMBT4400. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Ток коллектора (Iк): 310mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 6.5
Коэффициент усиления (hFE): 20MIN
Производитель: ITT

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.