Транзистор IR2000 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора IR2000. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 720mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 2V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 2000T
Производитель: ITT
Применение: Darlington, Power

Искать IR2000 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.