Транзистор J582 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора J582. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
675mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
ITT
Искать J582 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее