Транзистор KC636 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KC636. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 45V
Ток коллектора (Iк): 1A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 50MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: TESLA

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.