Транзистор KGS1000 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KGS1000. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Ток коллектора (Iк): 400mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 14
Коэффициент усиления (hFE): 15MIN
Производитель: STC

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.