Транзистор KSA1156-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSA1156-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
375V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
SAMSUNG
Искать KSA1156-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее