Транзистор KSB1015-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSB1015-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
9MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
130
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
SAMSUNG
Искать KSB1015-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее