Транзистор KSB1151-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSB1151-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 20W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 5A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 160MIN
Производитель: SAMSUNG

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.