Транзистор KSB1330 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSB1330. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 300MHz
Коэффициент усиления (hFE): 70/400
Производитель: SAMSUNG

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.