Транзистор KSB708-R pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSB708-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 7A
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 40/60
Производитель: SAMSUNG

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.