Транзистор KSB772-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KSB772-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
55
Коэффициент усиления (hFE)
120MIN
Производитель
SAMSUNG
Искать KSB772-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее