Транзистор KSB810-G pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора KSB810-G. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 350mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 30V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 25V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 700mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 50MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 17
- Коэффициент усиления (hFE)
- 200MIN
- Производитель
- SAMSUNG
- Применение
- Low Power, General Purpose
Искать KSB810-G в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.