Транзистор KSC2316-Y npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSC2316-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
800mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
30
Коэффициент усиления (hFE)
120MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Low Power, General Purpose
Искать KSC2316-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее