Транзистор KSC3503E npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSC3503E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
7W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
300V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
300V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
1.8
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
SAMSUNG
Искать KSC3503E в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее