Транзистор KSC5024-R npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSC5024-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
90W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
800V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
500V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
10A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
18MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
120
Коэффициент усиления (hFE)
15/30
Производитель
SAMSUNG
Искать KSC5024-R в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее