Транзистор KSC5031-O npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSC5031-O. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
140W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
8A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
15MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
35
Коэффициент усиления (hFE)
20/40
Производитель
SAMSUNG
Искать KSC5031-O в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее