Транзистор KSC5035 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSC5035. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 8W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 160V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 300mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 500MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40/320
Производитель: SAMSUNG

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.