Транзистор KSD1273-O npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD1273-O. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
40W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
30MHz
Коэффициент усиления (hFE)
500MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Darlington, Power
Искать KSD1273-O в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее