Транзистор KSD1408-O npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD1408-O. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
9MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
90
Коэффициент усиления (hFE)
70/140
Производитель
SAMSUNG
Искать KSD1408-O в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее