Транзистор KSD2012 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD2012. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 25W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 3A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 9MHz
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: SAMSUNG

Искать KSD2012 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.