Транзистор KSD401-R npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD401-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 25W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 150V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 5MHz
Коэффициент усиления (hFE): 40/80
Производитель: SAMSUNG

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.