Транзистор KSD5018 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD5018. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
50W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
600V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
275V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
150єC
Производитель
SAMSUNG
Искать KSD5018 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее