Транзистор KSD5064 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD5064. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
80W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1500V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
800V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
2.5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Коэффициент усиления (hFE)
8MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Power, TV Deflection
Искать KSD5064 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее