Транзистор KSD5742 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD5742. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
80W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
8A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
200MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Darlington, Power
Искать KSD5742 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее