Транзистор KSD986 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSD986. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
150V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
8000T
Производитель
SAMSUNG

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать KSD986 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее