Транзистор KSH112I npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSH112I. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
20W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
25MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
100
Коэффициент усиления (hFE)
10000T
Производитель
SANYO
Применение
Darlington, Power
Искать KSH112I в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее