Транзистор KSP10 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSP10. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
70mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
650MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.3
Коэффициент усиления (hFE)
60MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
VHF, Low Power
Искать KSP10 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее