Транзистор KSP25 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSP25. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Коэффициент усиления (hFE)
10000T
Производитель
SAMSUNG
Применение
Darlington, Medium Power
Искать KSP25 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее