Транзистор KSP26 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSP26. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 500mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 10000T
Производитель: SAMSUNG
Применение: Darlington, Medium Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.