Транзистор KSP8097 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KSP8097. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
250MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
VHF, Low Power
Искать KSP8097 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее