Транзистор KST4124 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KST4124. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
300MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
120MIN
Производитель
SAMSUNG
Применение
Low Power, General Purpose
Искать KST4124 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее