Транзистор KST812M3 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KST812M3. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 60/120
Производитель: SAMSUNG
Применение: Low Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.