Транзистор KT216V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT216V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
75mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
5MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
30/200
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power, General Purpose
Искать KT216V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее