Транзистор KT302G npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT302G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 15V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Коэффициент усиления (hFE): 200MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: Low Power, RF, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.