Транзистор KT306AM npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT306AM. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
300MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
20/60
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power, RF, General Purpose
Искать KT306AM в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее