Транзистор KT306BM npn
Справочные характеристики биполярного транзистора KT306BM. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 150mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 15V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 10V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 4V
- Ток коллектора (Iк)
- 30mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 500MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 40/120
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Low Power, RF, General Purpose
Искать KT306BM в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.