Транзистор KT3109V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT3109V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 170mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 50mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 800MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 1
Коэффициент усиления (hFE): 15MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: RF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.