Транзистор KT3117B npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT3117B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 75V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 400mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 200MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 10
Коэффициент усиления (hFE): 100MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: RF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.