Транзистор KT3123VM pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT3123VM. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 3V
Ток коллектора (Iк): 30mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 3GHz
Ёмкость коллектора (Cк): 0.7
Коэффициент усиления (hFE): 40MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: UHF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.