Транзистор KT3130G9 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT3130G9. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 300MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 12
Коэффициент усиления (hFE): 400MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: RF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.