Транзистор KT3169A9-1 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT3169A9-1. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
750MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
0.6
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT3169A9-1 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее