Транзистор KT321V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора KT321V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 210mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 200mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 60MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 80
Коэффициент усиления (hFE): 80/200
Производитель: RUSSIA
Применение: RF, Low power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.