Транзистор KT333G-3 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора KT333G-3. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
15mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3.5V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
350MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
3.5
Коэффициент усиления (hFE)
30/90
Производитель
RUSSIA
Применение
RF, Low power
Искать KT333G-3 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее